Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构影响的第一性原理计算

• 作者: 吴红丽 宫声凯 赵新青
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: NiTi金属间化合物 TiO2/NiTi界面 电子结构 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7794-7799
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 3859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.12.062

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Nb掺杂对TiO2/NiTi界面电子结构的影响.体系生成能的计算结果表明,4种TiO2/NiTi界面结构中,NiTi中Ti原子和TiO2中O原子相邻的界面,即Ti/O界面的生成能最大,结构最稳定.在Ti/O界面结构优化的基础上,态密度、电荷分布以及集居数的计算结果均表明:Nb原子取代界面上的Ti原子后,界面原子之间的结合力增强,且界面附近的基体和氧化层中原子之间的相互作用也增加,有利于促进NiTi合金抗氧化性能的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宫声凯	北京航空航天大学材料科学与工程学院	101	1626	20.0	36.0
2	赵新青	北京航空航天大学材料科学与工程学院	23	136	8.0	11.0
3	吴红丽	北京航空航天大学材料科学与工程学院	8	40	4.0	6.0