增益自适应高频低噪声放大器的单片集成设计研究

• 作者: 吴孙桃 孙宇 郭东辉 陈华君
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 射频集成电路 低噪声放大器 增益自适应 CMOS
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 无线通信
• 页码范围: 56-59,62
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.11.020

摘要

高频低噪声放大器(LNA)是无线通讯设备关键器件之一.由于无线通讯设备特别是移动通讯设备使用环境的条件限制,往往需要LNA器件具有自适应增益功能,以保证接收信号的稳定性.拟设计一款具有自适应增益控制的高频LNA单片集成电路,以TSMC 0.18 μm的RF-CMOS器件模型和工艺参数,给出一个增益范围在O～17 dB、噪声抑制比为0.2 dB,适用于DCS1800手机中的1.8 GHz增益自适应CMOS放大器电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭东辉		129	1611	20.0	35.0
2	吴孙桃		31	484	11.0	21.0
3	陈华君		7	180	4.0	7.0
4	孙宇		9	3	1.0	1.0