脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜

• 作者: 李晓兰 王建秋 薛琴
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 脉冲激光沉积系统 GaN材料 薄膜材料 沉积温度 沉积气压
• 年，卷（期）: 2008,（22）
• 所属期刊栏目: 新型电子材料
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN40
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.22.004

摘要

采用脉冲激光沉积技术,在AIzO3衬底上生长GaN薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响.研究表明,在750℃的沉积温度时,GaN薄膜的结晶质量较高;在20 Pa以下的沉积气压下,GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建秋	江西师范大学物理与通信电子学院江西省光电子与通信重点实验室	10	27	3.0	5.0
2	薛琴	江西师范大学物理与通信电子学院江西省光电子与通信重点实验室	4	14	2.0	3.0
3	李晓兰	江西师范大学物理与通信电子学院江西省光电子与通信重点实验室	2	13	2.0	2.0