高能物理学

• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 高能物理学 MOSFET 总剂量效应 统计性质 紧致空间 光源设计 北京大学 不对称性
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 79-80
• 页数: 2页
• 分类号: O572.33|TN386.1
• 语种: 中文

摘要

紧致空间中辐射场的统计性质;部分耗尽S0I MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系;北京大学高功率相干Terahertz光源设计;用振幅比值方法预言中性粲介子衰变到CP本征态的CP不对称性;对北京谱仪上新观测态的一个理论解释;在ILC上用γγ→Z过程检验非对易时空标度;