片上eDRAM性能评价函数簇研究

• 作者: 刘振林 易立华 邹雪城
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 嵌入式DRAM 评价 FPGA 函数簇
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 片上系统
• 页码范围: 97-98,2
• 页数: 3页
• 分类号: TP333.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.05.039

摘要

本论文针对基于eDRAM的SOC中存储系统的性能评估问题、设计问题和可复用的eDRAM的集成技术问题进行研究,提出了一种定量的存储系统性能评估的建模方法.建立基于eDRAM存储系统评价函数簇模型,包括L(访问延迟)函数,P(功耗)函数,A(面积)函数和Y(良率)函数.利用此模型在已知系统性能要求的情况下,可以求出满足系统性能要求的最佳的参数值,或是多种满足条件的备选方案,为在SOC中使用eDRAM时优化存储器配置和存储系统设计提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	刘振林	华中科技大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0