NMOSESD保护器件直流仿真模型设计

• 作者: 冉峰 姜玉稀 杨殿雄 陆嘉
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: ESD 骤回 寄生效应 建模 参数提取
• 年，卷（期）: 2008,（28）
• 所属期刊栏目: 仿真技术
• 页码范围: 296-298
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.28.120

摘要

本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究.并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型.该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻.提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法.仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冉峰	上海大学微电子研究与开发中心	107	529	10.0	18.0
2	姜玉稀	上海大学微电子研究与开发中心	8	32	3.0	5.0
3	陆嘉	上海大学微电子研究与开发中心	1	2	1.0	1.0
4	杨殿雄	上海大学微电子研究与开发中心	1	2	1.0	1.0