厚栅n-和n-LDMOSFET高压输出电路

• 作者: 于宗光 李鉴 王卓 黄义定
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: n-LDMOSFET PDP 高压输出电路 驱动能力 下降时间厚栅
• 年，卷（期）: 2008,（26）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 301-302
• 页数: 2页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.26.124

摘要

对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(lateral double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路.同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP驱动集成电路的芯片面积减少了35%;在同样的芯片面积下,当电源电压为180V,负载电容为100pF时,所提出的输出电路的下降时间比常规的的电路要快2.5倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		140	722	12.0	22.0
2	王卓		4	4	1.0	1.0
3	黄义定		15	60	4.0	7.0
4	李鉴		16	76	5.0	8.0