沉积位置对脉冲激光沉积纳米Si晶薄膜微观结构的影响

• 作者: 刘保亭 周阳 王英龙 郑红芳
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光烧蚀 纳米Si薄膜 晶粒尺寸 羽辉动力学
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1595-1597
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.10.002

摘要

在4.0×10-4Pa的真空条件下,采用脉冲激光烧蚀技术在单晶Si衬底和石英衬底上制备了非晶纳米Si薄膜.在N2气氛下,经过900℃热退火得到纳米Si晶薄膜.采用表面台阶测试仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪等检测手段对样品不同位置的微观结构进行了表征.测量结果表明制备的纳米Si晶薄膜厚度及其晶粒尺寸分布不均匀,随着测量点与样品沉积中心距离的增加,薄膜的厚度逐渐减小,纳米Si晶粒的尺寸逐渐增大.从脉冲激光烧蚀动力学的角度对实验结果进行了定性的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
3	周阳	河北大学物理科学与技术学院	21	130	7.0	11.0
4	郑红芳		3	2	1.0	1.0