GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究

• 作者: 崔连森
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 深能级 DLTS 发光强度
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 光学器件
• 页码范围: 832-834,839
• 页数: 4页
• 分类号: O434.19|TN304.07
• 字数: 2798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-1582.2009.06.029

摘要

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn_O对深能级,并计算出了其能级的激活能.GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn_O对的浓度和发光管发光强度发生了变化.结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-O对的浓度增大,发光强度增强.它为提高GaP红色发光二极管的发光效率提供了一种新的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔连森	潍坊学院信息与控制工程学院	8	17	2.0	4.0