ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法

• 作者: 刘瑶 高英俊
• 来源期刊: 广西科学
• 学科: 工学
• 关键词: ESD GGNMOS 模拟仿真 LNPN开启
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 154-157
• 页数: 4页
• 分类号: O45|TN406
• 字数: 2470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9164.2009.02.015

摘要

基于ESD应力下栅接地N型MOS管(GGNMOS)的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线.虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少,但是模型2比模型1更为精确,与实际情况更吻合,更加能够反映出工艺参数对样品开启后特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高英俊	广西大学物理科学与工程技术学院	171	1186	18.0	26.0
2	刘瑶	广西大学物理科学与工程技术学院	11	66	5.0	8.0