等离子体技术沉积SiCN薄膜中杂质O的来源、化合状态及其对薄膜结构和性能的影响

• 作者: 丁万昱 张明明 徐军 赵艳艳 陆文琪
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCN薄膜 微波-ECR等离子体 化学结构 杂质
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5|TG115.3+3
• 字数: 4113字
• 语种: 中文

摘要

利用微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了硅碳氮(SiCN)薄膜,并利用X射线光电子能谱、扫描电镜、椭偏光谱仪等对薄膜成分、结构、性能等进行表征.结果表明薄膜中O杂质含量及其结合态对薄膜的化学结构和机械性能都产生了很大影响.Si靶溅射功率最低时(100W),薄膜中O杂质含量高达10.63%,以Si-O键结构为主,此时薄膜的疏松结构导致大气环境下O的化学吸附是O杂质的主要来源;在高Si靶溅射功率情况下(＞250W),薄膜中O杂质含量低于4%,且以C-O键结构为主,薄膜致密,硬度最高达29.1GPa、折射率可达2.43.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁万昱	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	10	77	6.0	8.0
2	徐军	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	51	346	11.0	14.0
3	赵艳艳	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	17	2.0	4.0
4	张明明	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	101	6.0	9.0
5	陆文琪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	101	7.0	9.0