新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究

• 作者: 于征汕 何波 吕鹏 周呈悦 张楠生 李凤 殷宴庭 沈成 沈玲 赵磊 马忠权
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡 SINP硅光电池 C-V/I-V特性 光谱响应 响应率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 217-225
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2009.04.001

摘要

在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO_2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO_2/np晶硅SINP结构光电池.高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征.并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算.结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器.