基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法

• 作者: 王文兵
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应晶体管 短路保护/导通压降
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 器 件
• 页码范围: 77-78
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2009.08.032

摘要

介绍了一种基于检测功率MOSFET导通压降实现短路保护的方法.该方法利用功率MOSFET自身导通电阻产生的导通压降,来得到保护控制信号,实现对功率MOSFET的保护.经实验及工程应用验证,该方法具有保护动作速度快,电路结构简单、可靠的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文兵		1	15	1.0	1.0