基于BiCMOS工艺的D类功率放大器设计

• 作者: 朱洲 李冰 肖志强
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: D类功率放大器 死区控制 H桥 BiCMOS工艺 多晶发射极 便携式
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 28-30,38
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.05.008

摘要

文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构,并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求,开发了基于0.6 μ m特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器.该D类音频放大器,在5V电压下可以以1.4W/Ch的功率驱动阻抗为8的负载.它同样可驱动阻抗为4的负载,5V电压下提供的最大功率为2.1W/Ch.同时还详细描述了前置音频放大器,三角波产生电路、比较器,死区控制电路,输出驱动电路等子模块的设计内容.电路在Cadence环境下进行设计和仿真验证,经过仿真表明电路设计性能良好,符合设计要求,可广泛应用于便携式电子产品.