基片温度和氧气流量对磁控溅射制备ITO薄膜光电学性质的影响

• 作者: 林丽梅 瞿燕 范丽琴 裴瑜 赖发春
• 来源期刊: 福建师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO 薄膜 磁控溅射 光电学性质
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3962字
• 语种: 中文

摘要

利用直流磁控溅射技术在BK-7基片上沉积掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜.研究不同基片温度和氧气流量对薄膜的结构、电学和光学性质的影响,分析光电学性质改变的机理.结果表明,随着氧气流量的增加,载流子浓度(N)不断下降,电阻率(ρ)不断增大,但迁移率(μ)先增大后减小,在氧气流量为0.5 cm3/min(1Pa)时有最大值.随着基片温度的上升,N逐渐增加,ρ不断降低,而μ则先增加后减小,在基片温度为200 ℃时为极大值.所有样品在可见光区的平均光学透过率都大于80%,薄膜的折射率和消光系数从拟合透射光谱数据获得;在1 500 nm光学波长处,折射率随载流子浓度的增加而减小,较好符合线性关系;消光系数随载流子浓度的增大而增加,不符合线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林丽梅	福建师范大学物理与光电信息科技学院	28	139	8.0	11.0
2	瞿燕	福建师范大学物理与光电信息科技学院	19	108	6.0	10.0
3	赖发春	福建师范大学物理与光电信息科技学院	37	216	8.0	13.0
4	范丽琴	福建师范大学物理与光电信息科技学院	6	36	3.0	6.0
5	裴瑜	福建师范大学物理与光电信息科技学院	2	29	2.0	2.0