In(Ga)As量子点红外探测器

• 作者: 唐光华 徐波 王占国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 量子点红外探测器 暗电流 掺杂控制 性能参数
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 577-586
• 页数: 10页
• 分类号: O471.1|TN215
• 字数: 6886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.10.001

摘要

讨论了量子点红外探测器的工作原理、性能参数、暗电流形成机理及其优势,介绍了In(Ga)As量子点红外探测器的主要结构、性能和取得的最新结果,最后探讨了如何进一步提高量子点红外探测器的性能.指出要实现量子点红外探测器的优势,必须优化量子点生长条件,让量子点更小、更均匀和密度更大;必须提高量子点的掺杂控制和掺杂水平,实现每个量子点中有1～2个电子;必须降低量子点生长中引入的应力,增加量子点有源区的层数;此外,还必须寻求新的量子点红外探测器结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国		6	29	3.0	5.0
2	唐光华		1	6	1.0	1.0
3	徐波		1	6	1.0	1.0