双向可控硅器件在片上静电防护中的应用

• 作者: 朱科翰 李亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双向可控硅 静电放电 骤回 人体模型 反向驱动保护
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 1195-1199
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.12.012

摘要

设计了一种用于芯片静电放电(ESD)防护的双向可控硅(DDSCR)器件.该器件具有对称性或非对称性骤回I-V特性,可以用于多种应用场合.器件的最优静电防护性能达到94 V/μm.简洁的器件结构用于输入/输出保护,对内部电路的寄生效应小,人体模型ESD测试达到耐压等级3(超过4 kV).在多电源芯片的静电防护中,双向可控硅器件可克服普通器件不能胜任的多模式静电事件的发生.首次提出了双向可控硅器件在高速多媒体接口中静电防护和反向驱动保护的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李亮	苏州市职业大学电子系	12	42	4.0	6.0