栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT

• 作者: 康耀辉 张政 高喜庆 高建峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 截止频率 高电子迁移率晶体管 InAlAs/InGaAs InP
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN322
• 字数: 836字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.07.009

摘要

文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件.栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺.器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InP HEMT材料上.当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建峰	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	23	98	7.0	9.0
2	康耀辉	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	5	17	2.0	4.0
3	高喜庆	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	1	7	1.0	1.0
4	张政	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	1	7	1.0	1.0