晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算

• 作者: 刘嘉慧 宋开颜 张金虎 李大业 武鹤楠 郭连权 马贺
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体Si 半导体 能带 禁带宽度 密度泛函 第一性原理 赝势 Abinit软件
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 296-298,305
• 页数: 4页
• 分类号: O73|O799
• 字数: 2533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1646.2009.03.012

摘要

针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV.该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭连权	沈阳工业大学理学院	25	134	7.0	10.0
2	刘嘉慧	沈阳工业大学基础教育学院	11	39	4.0	6.0
3	马贺	沈阳工业大学理学院	19	73	5.0	7.0
4	宋开颜	沈阳工业大学理学院	8	30	3.0	5.0
5	武鹤楠	沈阳工业大学理学院	6	26	2.0	5.0
6	李大业	沈阳工业大学理学院	8	29	3.0	5.0
7	张金虎	沈阳工业大学理学院	3	14	3.0	3.0