基于MOSFET的正向幅度高压脉冲信号源设计

• 作者: 丁明军 于治国 李玺钦 贾兴
• 来源期刊: 高能量密度物理
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 高压脉冲 信号源 栅极电阻
• 年，卷（期）: gnlmdwl,（2）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1

摘要

利用MOSFET导通过程中的线性控制特性实现对脉冲输出前沿的控制，使输出脉冲前沿为类正弦波；利用低输出阻抗驱动信号源实现栅极电容电荷的快速泄放，从而实现MOSFET的快速关断，使得脉冲源输出脉冲后沿陡降。电路设计巧妙地实现了缓升快降脉冲的产生，设计的高压信号源最大输出脉冲幅度可达800V。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁明军	中国工程物理研究院流体物理研究所107室	21	111	8.0	10.0
2	李玺钦	中国工程物理研究院流体物理研究所107室	45	118	7.0	10.0
3	贾兴	中国工程物理研究院流体物理研究所107室	18	52	4.0	7.0
4	于治国	中国工程物理研究院流体物理研究所107室	6	15	2.0	3.0