基于InGaAs/InP SHBT技术的10 Gb/s单片跨阻放大器研究

• 作者: 刘跳 曾庆明 李献杰 蔡道民 赵永林 郝跃
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单异质结双极性晶体管 发射极-基极自对准 隔离基极压点 跨阻放大器
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 701-703
• 页数: 3页
• 分类号: TN32|TN722
• 字数: 1556字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.21

摘要

介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极.基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10 Gb/s跨阻放大器.其中SHBT获得了在Ic=10 mA,Vce=2 V时,fT和fmax分别为60、75 GHz,电流密度为100 kA/cm2,击穿电压大于3 V;跨阻放大器的跨阻增益为58 dBΩ,灵敏度为-23 dBm,3 dB带宽为8.2 GHz.该单片跨阻放大器可广泛应用于光纤通信.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	赵永林	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	39	3.0	5.0
3	刘跳	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	7	2.0	2.0
4	曾庆明	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	15	3.0	3.0
5	李献杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	74	6.0	7.0
6	蔡道民	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	43	3.0	6.0