高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体Sm0.2 Ce0.8O1.9-x缓冲层

• 作者: 张欣 张红 武伟 王文涛 王蒲明华 赵勇 雷鸣 高顺天
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 单一缓冲层 高分子辅助 Sm掺杂CeO2
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 297-300
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

本文采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)的方法,在双轴织构的Ni-5%W合金基底上制备了Sm0.2Ce0.8O1.9-x(SCO)单一缓冲层,并研究了不同退火温度对缓冲层织构和微结构的影响.研究结果表明,通过1100℃退火处理可以得到织构优良、表面致密平整,厚度可达200nm的SCO单一缓冲层.在该缓冲层上用类似的方法沉积的YBCO薄膜的临界超导转变温度Tc0为87K且Jc可达0.5 MA·cm2(在77 K时).可以认为,Sm掺杂CeO2是制备单一缓冲层的一种有效的适合大规模生产的新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红		26	73	6.0	7.0
2	赵勇		92	334	11.0	17.0
3	雷鸣		31	149	7.0	10.0
4	张欣		9	15	2.0	3.0
5	王文涛		9	24	3.0	4.0
6	武伟		1	0	0.0	0.0
7	王蒲明华		1	0	0.0	0.0
8	高顺天		1	0	0.0	0.0