ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶界对残压的影响

• 作者: 成鹏飞 朱斌 李盛涛 王玉平
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 伏安特性 残压
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2028字
• 语种: 中文

摘要

ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值.计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱斌		9	62	4.0	7.0
2	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
3	王玉平		23	187	8.0	13.0
4	成鹏飞	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	31	172	8.0	12.0