Zn,Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

• 作者: 林竹 毕艳军 董玉成 郭志友
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铝 p型掺杂 密度泛函理论 电子结构
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 314-320
• 页数: 7页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2631字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理的平面波超软赝势方法(USPP),对Zn,Cd掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数.计算了掺杂AlN晶体的结合能、电子态密度、差分电荷密度,并对计算结果进行了细致的分析.计算结果表明,Cd、Zn都可以提供很多的空穴态,是良好的p型掺杂剂,但是相对于Cd, Zn原子在AlN晶体中的溶解度更大,并且可以提供更多的空穴,有利于形成更好的p型电导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭志友	华南师范大学光电子材料与技术研究所	34	336	12.0	17.0
2	董玉成	华南师范大学光电子材料与技术研究所	5	73	4.0	5.0
3	毕艳军	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	79	5.0	6.0
4	林竹	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	81	5.0	6.0