延髓头端腹外侧区肾上腺髓质素参与中脑导水管背侧周围灰质电刺激诱发防御性心血管反应的调节

• 作者: 曹银祥 朱大年 李良 李霞 樊明欣 沈霖霖 洪震 王锦
• 来源期刊: 生理学报
• 学科: 生物学
• 关键词: 延髓头端腹外侧区 中脑导水管背侧周围灰质 肾上腺髓质素 应激 心率 血压 肾上腺髓质素受体拮抗剂 大鼠
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 347-355
• 页数: 9页
• 分类号: Q463
• 语种: 中文

摘要

本文采用原位杂交、免疫组织化学方法检测了接受足底电击结合噪声应激刺激5天的大鼠延髓、尤其是延镌头端腹外侧区(rostral ventrolateral medulla, rVLM)编码肾上腺髓质素(adrenomedullin,ADM)的肾上腺髓质素前肽原(preproadrenomedullin,ppADM)mRNA表达和ADM免疫活性(adrenomedullin immunoreactivity,ADM-IR)变化,并通过电刺激中肭导水管背侧周围灰质(dorsal periaquaductal gray of midbrain,dPAG)诱发防御性心血管反应,以及于rVLM微最注射大鼠ADM(rat adrenomedullin,rADM)及其特异性受体拮抗剂--人肾上腺髓质素(22-52)[human adrenomedullin22-52,hADM(22-52)]相结合的手段研究rVLM中ADM在应激防御性心血管反应中的可能调节作用.结果显示,在门前1.0～3.0 mm之间的延髓组织中ppADM mRNA杂交信号和ADM-IR阳性细胞在rVLM、面神经核分布最多,中缝核、巨细胞背核、舌下神经核和下橄榄核等处尚有中等量阳性细胞,而孤束核较少;应激第5天,应激组rVLM区ppADM mRNA表达和ADM免疫阳性细胞均较对照组明显增加(P<0.01);右侧dPAG电刺激(0.5 ms,100 Hz)后,正常大鼠动脉压(artery pressure,AP)立即由电刺激前的(116.43±8.9)mmHg升高到(140.0+9.8)mmHg,心率(heart rate,HR)也从电刺激前的(378.0±7.5)beats/min明显加快到(413.0±8.2)heats/min.停止电刺激后AP和HR快速恢复到正常水平;右侧rVLM微最注射1 pmol hADM(22-52)后10、20、30 min,再给予dPAG电刺激,则由电刺激引起的△AP、△HR明显降低(P<0.05,P<0.01);rVLM微最注射0.1 pmol rADM后10 min内引起AP明显升高,在此基础上再给予中脑dPAG电刺激,则给药后60 min内由电刺激dPAG引起的△AP、△HR虽有所增加,但统计学差异无显著性.上述结果提示,大鼠急性足底电击结合噪声刺激引发应激及血压升高伴随rVLM中ADM基因表达和免疫活性的明显增加,并且阻断rVLM中ADM特异性受体可减弱电刺激dPAG引起的应激防御心血管反应.因此,rVLM中ADM可能作为一种重要的神经递质或神经调质参与了应激防御性心血管反应.