薄膜结构对Si/SiO2 Ⅰ-Ⅴ特性的影响

• 作者: 马书懿 马自军
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 Si/SiO2纳米薄膜 I-V特性
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 实验与应用
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: O484.42
• 字数: 2614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2009.03.003

摘要

用射频磁控溅射法制备了3种结构的Si/SiO2纳米薄膜,测定了薄膜的I-V特性. 实验结果分析表明,薄膜结构是影响其I-V特性的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马书懿	西北师范大学物理与电子工程学院	69	226	8.0	11.0
2	马自军	甘肃农业大学理学院	11	51	2.0	7.0