中子散射在新型磁性材料研究中的应用

• 作者: 王芳卫
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 物理学
• 关键词: 中子散射 极化中子衍射 磁制冷材料 磁熵变 磁致电阻材料
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 中子散射在材料科技中的应用专栏
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: O571.56|O722+.7
• 字数: 2818字
• 语种: 中文

摘要

简单介绍了中子散射在具有一级晶格和磁相变的新型磁制冷材料和具有庞磁致电阻材料中的一些研究进展.中子散射结果表明,在NaZn13型稀土铁基化合物中,晶格与磁性之间存在明显的耦合,这种耦合可能是该体系中大的磁熵变的来源;在CMR(Colossal Magnetoresistant)锰氧化物中,极化中子衍射证明3d电子的轨道分布与Jahn-Teller效应、磁有序等密切相关,并在该体系中,首次测量到纳米尺度的磁性材料中的自旋波.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王芳卫	中国科学院物理研究所中国散裂中子源靶站谱仪工程中心	11	64	3.0	8.0