新型铁电薄膜底电极TiN的结构与电性能研究

• 作者: 张德银
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 底电极 氮化钛 钽酸锂 溶胶-凝胶法
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 26-28,40
• 页数: 4页
• 分类号: TM281
• 字数: 3158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.12.009

摘要

自制了导电的TiN薄膜底电极,并在其上制备了铁电钽酸锂薄膜,测试了TiN薄膜电阻随热处理温度变化的关系,以及TiN底电极上钽酸锂薄膜的介电和漏电特性.实验结果表明,当热处理温度低于700℃时,TiN薄膜的电阻率小于0.004QΩ·cm,具有良好的导电性,可用作钽酸锂薄膜底电极;TiN底电极上钽酸锂薄膜的漏电电流大于Pt衬底上钽酸锂薄膜的漏电电流;N2气氛下在TiN底电极上结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗远大于O2气氛下结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗;氧缺位是TiN底电极上钽酸锂薄膜介电损耗大和漏电大的主要原因.