激光弯曲过程对薄硅片伏安特性的影响

• 作者: 刘双 吴东江 张强 王续跃 郭东明
• 来源期刊: 应用激光
• 学科: 工学
• 关键词: 薄硅片 激光弯曲 伏安特性
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 10-13,33
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 字数: 3238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-372X.2009.01.003

摘要

对不同加工参数下脉冲激光弯曲后的薄片硅材料的伏安特性进行了分析.通过对样品电流(I)-电压(V)特性的测量,研究了脉冲频率、扫描次数和扫描路径对薄硅片电学性质的影响.结果表明,在一定的加工参数范围内,通过降低脉冲频率,减少扫描次数,优化扫描路径都有利于降低弯曲硅片的电阻率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
2	吴东江	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	63	533	14.0	20.0
3	张强	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	76	619	14.0	20.0
4	王续跃	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	87	426	10.0	15.0
5	刘双	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	2	7	2.0	2.0