基底温度对四元叠层硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的影响

• 作者: 周震 廖成 焦飞 谢华木 赵夔 陆真冀 韩俊峰
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 铜铟镓硒薄膜 叠层硒化法 热处理
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: O484|TN403.2|TB43
• 字数: 1971字
• 语种: 中文

摘要

利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒(缩写为CIGS)薄膜,重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中,基底温度对CIGS薄膜的晶体结构,表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响.实验结果表明,在叠层法制备CIGS薄膜时,发现在550℃的基底温度时,不经过退火便可以生成CIGS晶体,表面Ga的含量处于比较合适的范围.而基底温度为500℃,450℃时,只能生成铜铟硒(CIS)晶体,Ga元素表面的含量较少,主要分布在薄膜底部.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵夔	北京大学重离子物理研究所	33	190	7.0	12.0
2	焦飞	北京大学重离子物理研究所	9	49	5.0	6.0
3	韩俊峰	北京大学重离子物理研究所	9	50	6.0	7.0
4	谢华木	北京大学重离子物理研究所	5	27	4.0	5.0
5	廖成	北京大学重离子物理研究所	6	50	6.0	6.0
6	周震	北京大学重离子物理研究所	3	28	3.0	3.0
7	陆真冀	北京大学重离子物理研究所	1	7	1.0	1.0