压力下GaN/Ga1-xAlxN量子点中杂质态的界面效应

• 作者: 张敏 闫祖威
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 结合能 电子面密度 压力
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 529-534
• 页数: 6页
• 分类号: O471.3
• 字数: 3221字
• 语种: 中文

摘要

考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系.结果表明,结合能随压力的增大呈线性增加的趋势,有效质量位置的依赖性以及导带弯曲对结合能有不容忽视的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫祖威	内蒙古农业大学理学院	29	64	5.0	7.0
2	张敏	内蒙古大学物理科学与技术学院	15	56	5.0	7.0