基于Q-V Lissajous图形法的介质阻挡放电试验研究

• 作者: 冉冬立 庄凤芝 王军 王攀 蔡忆昔
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 低温等离子体 介质阻挡放电 Q-V Lissjous图形法 介质厚度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 测试与分析
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TM835|TM215
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2009.04.017

摘要

为了解介质阻挡放电(DBD)在不同激励电压峰值VP-P和介质厚度ld下的放电特性,通过建立介质阻挡放电试验系统,采用Q-V Lissajous图形法研究了激励电压峰值VP-P、介质厚度ld对DBD主要放电参量的影响.研究表明:增大激励电压峰值VP-P、减小介质厚度ld可提高放电功率P、单周期电荷传输量Q、气隙有效电场强度Eg和气隙折合电场强度E/n.固定介质厚度ld,增大激励电压峰值VP-P,介质等效电容Cd增大,气隙等效电容Cg减小,但放电熄灭阶段总电容C变化不明显.固定激励电压峰值VP-P,增大介质厚度ld,放电熄灭阶段总电容C和介质等效电容Cd减小,气隙等效电容Cg增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡忆昔	江苏大学汽车与交通工程学院	172	1375	19.0	26.0
2	王军	江苏大学汽车与交通工程学院	93	712	14.0	22.0
3	王攀	江苏大学汽车与交通工程学院	35	241	10.0	14.0
4	冉冬立	江苏大学汽车与交通工程学院	6	44	5.0	6.0
5	庄凤芝	江苏大学汽车与交通工程学院	8	101	6.0	8.0