中温回复下疲劳Cu单晶体驻留滑移带的演变

• 作者: 孙晓慧 张修丽 李明扬
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 驻留滑移带 中温回复 位错结构演变 疲劳Cu单晶
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.8|TG113.25
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2009.01.004

摘要

恒塑性应变幅循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体出现驻留带(Persistent Slip Bands,PSBs).在铜的(0.3～0.5)TmK中温回复区内,对疲劳Cu单晶进行不同温度和时间的真空保温处理,观察PSBs结构在热激活条件下的变化及材料的寿命估计.结果显示,中温回复过程中,由于弹性力、渗透力与林位错阻碍力的交互作用促使PSBs中的位错通过空位的放出和湮灭而运动,并使PSBs的位错墙由弯曲到变细最后分段消失,位错密度快速下降.中温回复后材料寿命得到延长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓慧		14	49	4.0	7.0
2	李明扬	东北大学理学院	5	33	3.0	5.0
3	张修丽		13	113	6.0	10.0