铜丝键合工艺研究

• 作者: 冯学贵 常红军 慕蔚 李习周 王晓春 费智霞 鲁明朕
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 铜丝 键合 弹坑 工艺方案
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 1-4,15
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.08.001

摘要

键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中.随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展.因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料.文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效.文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李习周		22	27	3.0	4.0
2	慕蔚		6	17	3.0	4.0
3	王晓春		4	15	3.0	3.0
4	常红军		3	15	3.0	3.0
5	费智霞		3	12	2.0	3.0
6	冯学贵		3	14	2.0	3.0
7	鲁明朕		4	17	3.0	4.0