Ⅱ一Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展

• 作者: 姚江宏 宋经纬 杨爱国 王醉 陈中平 马锡英
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体纳米晶体 掺杂 光电特性 胶体法 掺杂机制
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 404-409
• 页数: 6页
• 分类号: TN383|TN304.25
• 字数: 4055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.07.004

摘要

介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题.引进新型掺杂理论--动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度.最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚江宏	南开大学物理科学与技术学院	24	136	8.0	10.0
2	宋经纬	绍兴文理学院光电材料研究所	4	7	2.0	2.0
3	马锡英	绍兴文理学院光电材料研究所	10	36	4.0	5.0
4	王醉	南开大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0
8	陈中平	绍兴文理学院光电材料研究所	1	1	1.0	1.0
9	杨爱国	绍兴文理学院光电材料研究所	1	1	1.0	1.0