类氢杂质对InxGa1-xN/GaN和GaN/AlxGa1-xN量子点中束缚激子态的影响

• 作者: 戴宪起 赵玉岭
• 来源期刊: 郑州大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 类氢施主杂质 量子点 束缚激子 激子基态能 发光波长
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2220字
• 语种: 中文

摘要

在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵玉岭	郑州师范高等专科学校物理系	9	88	2.0	9.0
2	戴宪起	郑州师范高等专科学校物理系	5	12	1.0	3.0