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摘要:
利用密度泛函理论(DFT) B3LYP泛函方法,在6-31G*水平上计算研究了Ga2As,Ga2As- 和Ga2As+ 团簇的几何结构和电光特性,得到各团簇的基态和亚稳态结构,计算的团簇振动频率与实验结果吻合较好.分析结果表明,带电原子间的静电库仑作用变化使得离子团簇的基态结构发生畸变,进而影响了团簇的电光特性.
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文献信息
篇名 Ga2As团簇结构及其电光特性的研究
来源期刊 西安理工大学学报 学科 物理学
关键词 Ga2As团簇 密度泛函理论(DFT) 几何结构 电光特性
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 275-278
页数 4页 分类号 O561
字数 2575字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-4710.2009.03.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 施卫 西安理工大学理学院 85 925 17.0 25.0
2 李恩玲 西安理工大学理学院 35 246 9.0 13.0
3 马德明 西安理工大学理学院 23 180 9.0 12.0
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研究主题发展历程
节点文献
Ga2As团簇
密度泛函理论(DFT)
几何结构
电光特性
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期刊影响力
西安理工大学学报
季刊
1006-4710
61-1294/N
大16开
西安市金花南路5号
1978
chi
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6
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