有源矩阵FED器件用的单块集成多晶硅FEA与TFT

• 来源期刊: 光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: FED器件 有源矩阵 TFT 多晶硅 集成 FEA 场发射阵列 玻璃基底
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 26-27
• 页数: 2页
• 分类号: TN383.1

摘要

本文给出了制作在有源矩阵场发射显示（AMFED）器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列（p-SiFEA）与薄膜晶体管（TFT）。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射，从而导致了对于发射稳定性及15伏以下低压场发射的极大改进。本技术有在玻璃基底之AMFED上应用的潜力。