强流RFQ加速器注入器的研究进展

• 作者: 于金祥 任海涛 吕鹏南 宋执中 张萌 彭士香 徐蓉 袁忠喜 赵捷 郭之虞
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 注入器 发射度 流强 传输效率 微波离子源 LEBT
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TL503.3
• 字数: 2410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2009.03.002

摘要

用于中子照相的2MeVRFQ加速器须注入50 mA@50keV的脉冲D+离子束,束流占空比为1/10,发射度0.2 π-mm-mrad.а=1.93,β=5.16cm/rad.为此,我们建立了两台基于2,415 GHz的永磁微波离子源实验台.当微波功率小于450 w时,引出氢离子流的总流强大于80 mA,质子比好于90%,束流的归一化均方根发射度约为0.2-0.3π-mm-mrad.LEBT(低能束流输运线)实验台使用-个半包围结构螺线管磁透镜,束流传输效率大于80%.为优化源体设计,对源室尺度和放电室内衬材料研究,为源体的优化提供了依据.