高性能CMOS集成电压比较器设计

• 作者: 丁召 傅兴华 吴宗桂 邓爱枝 马奎
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 比较器 模拟信号 二进制信号 高速高精度
• 年，卷（期）: 2009,（14）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.14.003

摘要

比较器可以比较一个模拟信号和参考信号,并且输出比较得到的二进制信号.为了设计一个高速度、高精度的比较器,采用预放大锁存比较电路结构,并加以改进.在Cadence环境下基于CSMC 0.5μm CMOS工艺完成比较器的电路设计、版图设计和版图验证.仿真得到比较器的增益为85.588 4 dB,带宽为60.546 7 MHz,上升延时为5.723 74 ns,下降延时为5.429 17 ns,输入失调电压为640.17 μV.它适用于高速A/D等领域的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁召		6	14	3.0	3.0
2	马奎	贵州大学理学院	35	52	4.0	5.0
3	邓爱枝		2	7	1.0	2.0
4	吴宗桂		2	7	1.0	2.0
5	傅兴华		12	28	3.0	4.0