电解液对准分子电化学刻蚀硅的影响研究

• 作者: 史铁林 柳海鹏 熊良才 龙芋宏
• 来源期刊: 应用激光
• 学科: 工学
• 关键词: 准分子激光 电化学 刻蚀 溶液
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 43-45,49
• 页数: 4页
• 分类号: TG665
• 字数: 2031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-372X.2009.01.011

摘要

激光电化学刻蚀是将激光加工技术和电化学加工技术有机结合起来而形成的一种复合型刻蚀工艺.为了研究电.解兰对激光电化学刎蚀硅的影响,本文采用248nm KrF准分子激光作为光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极半导体n-Si上实现激光诱导电化学刻蚀.在实验的基础上,研究了经学溶液对激光电化学蚀Si的雇刻蚀速率的影响,并对其产生的原因进行了分析.试验结果表明:化学溶液对刻蚀工艺的影响主要采辣于小同浓度的溶液对激光的吸收和折射;采用吸收率较小、浓度较低的溶液和控制液膜厚度能有效减小溶液飞溅和溶液折射.本文中,溶液的厚度控制在1mm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙芋宏	桂林电子科技大学机电工程学院	27	93	4.0	8.0
2	柳海鹏	华中科技大学机械科学与工程学院	8	53	5.0	7.0