超大规模集成电路用新型散热材料的优化设计

• 作者: 冯再 勾阳 张继忠 郑敏
• 来源期刊: 四川有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: 高导热 低熔点 超大规模集成电路 In-Bi-Sn In-Bi-Sn-Ga
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 有色冶金
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.2
• 字数: 3220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4079.2009.04.006

摘要

利用趋势带法和定向位移法对多元合金成分进行优化设计对In-Bi-Sn三元系和In-Bi-Sn-Ga四元系部分区域进行了研究,获得了熔点为52℃,且不合铅、镉、汞等有毒有害元素的In60.5Bi27Sn8.5Ga4四元新型散热材料.该合金在40℃温度附近的导热系数达到24.57 W.m-1.K-1,是现有高导热硅胶(导热系数1.5～2.5 W.m-1.K-1)的十余倍,表现了良好的导热性能.本研究成分优化设计方法对研究合金熔点与成分关系具有一定指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张继忠		11	46	4.0	6.0
2	冯再		12	25	3.0	4.0
3	勾阳		7	9	1.0	3.0
4	郑敏		4	13	2.0	3.0