ITO靶材黑化物的X射线光电子能谱研究

• 作者: 刘黎明 杨培志 莫镜辉
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡靶材 黑化物 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 84-86
• 页数: 3页
• 分类号: TF124
• 字数: 1520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2009.05.023

摘要

利用X射线光电子能谱(XPS)分析了ITO靶材黑化物的化学组成,结果表明黑化物由In、Sn、O和C组成,相对原子百分含量In为34.35%,Sn 为2.74%,O 为52.65%,C 为10.26%;In、Sn处于亚氧化状态;C有部分氧化.与原始靶材相比,黑化物的元素组成和化学状态发生了明显的变化.择优溅射最可能引起成分比例失常,真空残余的含C气体和泵油蒸汽被认为是污染C的直接来源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨培志		21	189	8.0	13.0
3	刘黎明		24	160	7.0	12.0
6	莫镜辉		7	61	4.0	7.0