Ce3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响

• 作者: 杜玙璠 王申伟 衣立新 邬洋
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 硅纳米晶 Ce3+注入 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 417-420
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1568字
• 语种: 中文

摘要

通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格.将样品分别注入剂量为2.0×1014 cm-2和2.0×1015 cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品.通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响.在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王申伟	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	8	37	3.0	6.0
2	衣立新	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	11	40	3.0	6.0
3	杜玙璠	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	2	22	2.0	2.0
4	邬洋	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	2	6	2.0	2.0