激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究

• 作者: 丁学成 傅广生 梁伟华 王英龙 褚立志 邓泽超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光烧蚀 激光退火 成核势垒
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 876-879
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2426字
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2).结合激光晶化机理进行定量计算.结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势垒大小约为1.4×10-9 mJ.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
5	梁伟华	河北大学物理科学与技术学院	36	92	6.0	8.0
6	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0