原文服务方: 材料工程       
摘要:
采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响.采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析.结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω~(-1)·cm~(-1)升到6.289Ω~(-1)·cm~(-1);SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150.实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关.认为这是SiC纤维表面沉积的C层使纤维电导率增大所致.直流电导损耗足其主要损耗机制.
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化学气相沉积(CVD)
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文献信息
篇名 SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究
来源期刊 材料工程 学科
关键词 化学气相沉积(CVD) SiC纤维 C涂层 体电导率 拉曼光谱 介电性能
年,卷(期) 2009,(11) 所属期刊栏目 工艺
研究方向 页码范围 36-39
页数 4页 分类号 TB34
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-4381.2009.11.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗发 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 168 1535 19.0 30.0
2 周万城 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 206 1931 22.0 34.0
3 于新民 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 7 27 4.0 4.0
4 郑文景 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 4 20 4.0 4.0
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期刊影响力
材料工程
月刊
1001-4381
11-1800/TB
大16开
北京81信箱-44分箱
1956-05-01
中文
出版文献量(篇)
5866
总下载数(次)
0
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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