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SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究
SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究
作者:
于新民
周万城
罗发
郑文景
原文服务方:
材料工程
化学气相沉积(CVD)
SiC纤维
C涂层
体电导率
拉曼光谱
介电性能
摘要:
采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响.采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析.结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω~(-1)·cm~(-1)升到6.289Ω~(-1)·cm~(-1);SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150.实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关.认为这是SiC纤维表面沉积的C层使纤维电导率增大所致.直流电导损耗足其主要损耗机制.
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制备
界面
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反应烧结
Si/SiC涂层
中密度C/C复合材料表面制备SiCnw/SiC涂层
碳化硅纳米晶须
C/C复合材料
SiCw/SiC涂层
化学气相沉积(CVD)
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文献信息
篇名
SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究
来源期刊
材料工程
学科
关键词
化学气相沉积(CVD)
SiC纤维
C涂层
体电导率
拉曼光谱
介电性能
年,卷(期)
2009,(11)
所属期刊栏目
工艺
研究方向
页码范围
36-39
页数
4页
分类号
TB34
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-4381.2009.11.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
罗发
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
168
1535
19.0
30.0
2
周万城
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
206
1931
22.0
34.0
3
于新民
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
7
27
4.0
4.0
4
郑文景
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
4
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研究来源
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研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
材料工程
主办单位:
中国航发北京航空材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4381
CN:
11-1800/TB
开本:
大16开
出版地:
北京81信箱-44分箱
邮发代号:
创刊时间:
1956-05-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
5866
总下载数(次)
0
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英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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