SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究

• 作者: 于新民 周万城 罗发 郑文景
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 化学气相沉积(CVD) SiC纤维 C涂层 体电导率 拉曼光谱 介电性能
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2009.11.009

摘要

采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响.采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析.结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω~(-1)·cm~(-1)升到6.289Ω~(-1)·cm~(-1);SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150.实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关.认为这是SiC纤维表面沉积的C层使纤维电导率增大所致.直流电导损耗足其主要损耗机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗发	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	168	1535	19.0	30.0
2	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
3	于新民	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	7	27	4.0	4.0
4	郑文景	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	4	20	4.0	4.0