一种应用于低功耗SRAM的新型预充电策略

• 作者: 曾晓洋 闫伟伟 陈淑玉
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 预充电电路 低功耗 读操作
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 455-459
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

针对传统预充电技术在SRAM每次读操作前都要进行预充电的方式,提出了一种新型的SRAM间歇式预充电技术,即只在位线电压较低时才充电的策略.该技术在面积不变的前提下降低了SRAM的读功耗,并且成功应用于8 KB 4路组相连cache中.为了精确验证该技术,将cache中的tag部分21×128 bit SRAM阵列及外围电路,分别采用传统预充电技术和该预充电技术进行单独仿真.Hspice的仿真结果表明,在SMIC0.18μm工艺下,工作频率为250 MHz,电源电压为1.8V时,该技术在连续读操作过程中可以在保证读出结果正确的前提下,比传统方式节省大约24.4%的读功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾晓洋		103	555	13.0	19.0
2	陈淑玉		3	0	0.0	0.0
3	闫伟伟		2	0	0.0	0.0