中频磁控溅射制备AIN薄膜

• 作者: 付德君 任克飞 邹长伟 阴明利
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 中频磁控溅射 AIN 阳极层离子源
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 169-172
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O47
• 字数: 2701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2009.03.003

摘要

设计了-套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上沉积AIN薄膜.用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AIN薄膜的结构、形貌和成分.在优化的实验条件下制备的AIN薄膜具有较强的(002)衍射峰,其半高宽为612-648弧秒.气体流量、衬底偏压、离子源等对薄膜结构有明显影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付德君	武汉大学加速器实验室	28	94	6.0	8.0
2	阴明利	武汉大学加速器实验室	2	9	2.0	2.0
3	邹长伟	武汉大学加速器实验室	2	9	2.0	2.0
4	任克飞	武汉大学加速器实验室	2	6	1.0	2.0