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摘要:
以氮化硅为主体,外加二氧化硅,研制低密度、高强、低介电的氧氮化硅陶瓷材料.通过分析材料烧结体的XRD物相图、材料的各项性能、材料的显微结构,得出二氧化硅含量对材料性能的影响规律,从而确定了材料最佳配方.
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文献信息
篇名 低介电氧氮化硅陶瓷的研制
来源期刊 现代技术陶瓷 学科 工学
关键词 氮化硅 氧氮化硅 介电常数 介电损耗
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 科研与探讨
研究方向 页码范围 8-11
页数 4页 分类号 TQ174
字数 2139字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-1198.2009.01.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王重海 44 364 10.0 17.0
2 韦中华 3 18 2.0 3.0
3 廖荣 9 32 4.0 5.0
5 刘建 10 128 5.0 10.0
6 袁维军 3 17 3.0 3.0
9 马桂红 6 36 4.0 6.0
10 于志永 1 5 1.0 1.0
传播情况
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2017(1)
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研究主题发展历程
节点文献
氮化硅
氧氮化硅
介电常数
介电损耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代技术陶瓷
双月刊
1005-1198
37-1226/TQ
大16开
山东省淄博市张店区柳泉路西三巷五号
1993
chi
出版文献量(篇)
1156
总下载数(次)
4
总被引数(次)
4786
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