含前驱体SiC粉体低压成型低温烧结SiC多孔陶瓷

• 作者: 刘坚 徐光亮 熊亮萍 许云书
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔陶瓷 前驱体 低温烧结
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 粉体加工处理
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2009.03.008

摘要

采用聚碳硅烷和SiC粉体为原料低压成型低温烧结制备SiC多孔陶瓷,研究了聚碳硅烷含量对SiC多孔陶瓷性能的影响.SEM分析表明,聚碳硅烷裂解产物将SiC颗粒粘结起来.多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构.烧成SiC多孔陶瓷的孔隙孔径为单峰分布、分布窄.室温至800℃之间多孔陶瓷的平均热膨胀系数为4.2×10-6 K-1.随着聚碳硅烷含量的增大.SiC多孔陶瓷的孔隙率降低、三点弯折强度增大,当聚碳硅烷质量分数为10%时分别为44.3%和31.7MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许云书	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	69	672	13.0	22.0
2	徐光亮	西南科技大学材料科学与工程学院	101	1024	16.0	27.0
3	熊亮萍	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	28	171	7.0	12.0
4	刘坚	西南科技大学材料科学与工程学院	4	20	2.0	4.0